Технические характеристики и описание: | ||
Производитель Samsung | ||
- Основные характеристики -
Интерфейс: PCI-E x4. Объем накопителя: 1024 ГБ. Форм-фактор: M.2 2280. Максимальная скорость чтения: 3500 МБ/с. Максимальная скорость записи: 3000 МБ/с. Время наработки на отказ: 1500000 ч. Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller. Тип памяти NAND: V-NAND. Потребляемая мощность: 5.3 Вт. Ресурс TBW: 600 Tb. Категория Применения: 1TB. - Особенности - Поддержка NVMe: ДА. |